Кристаллы субстрата окиси цинка/кристалличность кристаллических субстратов вафли ЗнО высокая

Превосходное кристаллическое качество

Превосходная спичка решетки к нитриду

Легко вытравленный для интеграции прибора

Субстрат цепи полупроводника

СИД ZnO

Фильм ZnO

Материалы

ZnO

Ориентация

[0 0 0 -1] или [1 0 -1 0] <>

Параллельный

10

Перпендикуляр

5

качество поверхности

10/5

Искажение Wavefront

/4 @632nm

Поверхностная плоскостность

/8 @632nm

Ясная апертура

>95%

Скосите

<0>

Допуск толщины/диаметра

±0.05 mm

Максимальные размеры

dia 50×100mm

Покрытия

AR/AR@940+1030HR @ 1030+HT@940+AR1030

Тип материала

одиночный кристалл

Кристаллическая структура

шестиугольный, = b=3.252, c = 5,313

Молекулярный вес

81,47

R.I.

отсутствие = 1,3836, ne = 1,3957 @0.405 m

Отражательная потеря

5,1% @4,0 m; 11,2% @0.12 m

Плотность

5,7 g/cm3

Точка плавления

1975°C

Термальная проводимость

6 с (mK)

Тепловое расширение

a: 6.510-6/°C; C: 3.710-6/°C @20°C

Твердость (Mohs)

4

Диэлектрическая константа

C: 4,87; ⊥C: 5,45 @95 КГц -42 MHz

Растворимость в воде

нет

Ориентация

Конфигурация конца, nm

Толщина, nm

Оптически передача

[0 0 0 -1]

5×5

0,5

отсутствие = 1,3836,
ne = 1,3957

@0.405 m

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

8×8

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

10×10

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

15×15

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

dia 25,4

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]