Материал кристаллического лазера Иб КГВ с большим потенциалом на время короткого ИМПа ульс наивысшей мощности

Yb3+: KGW имеет большой показатель поглощения, низкий дефект суммы, высокую абсорбцию и поперечное сечение излучения

Простая двухуровневая электронная структура иона Yb избегает нежелательных процессов потери как upconversion, абсорбция возбужденного состояния, и гасить концентрации. Сравненный к обыкновенно используемому Nd: Кристалл YAG, Yb: Кристалл KGW имеет гораздо больше ширину полосы частот абсорбции, 3 или 4 раза более длинную продолжительность жизни излучения в подобном хозяев с увеличенной емкостью запоминающего устройства, более низкий дефект суммы и более соответствующий для диода нагнетая чем традиционные Nd-данные допинг системы. Небольшое гладит рукой перенос уменьшает нагреть и увеличивает эффективность лазера. По сравнению с другим Yb дал допинг кристаллам лазера как Yb: YAG и Yb: Кристаллы YCOB, Yb: KGW имеет много более высокое (13-17 раз) поперечное сечение абсорбции, более низкого дефекта суммы (~4%), поперечное сечение излучения которое 9 раз выше чем Yb: YCOB, и полоса излучения которая шире чем Yb: YAG, высокий нелинейный коэффициент рефракции, и самая высокая эффективность наклона (87%).