products
Главная страница > Продукция> К переключает кристаллы> Кристаллы лазера Кр ИАГ с превосходными Фысикочемикал свойствами кубическими

Кристаллы лазера Кр ИАГ с превосходными Фысикочемикал свойствами кубическими

Cr YAG Laser Crystals With Excellent Physicochemical Properties Cubic
Cr YAG Laser Crystals With Excellent Physicochemical Properties Cubic Cr YAG Laser Crystals With Excellent Physicochemical Properties Cubic
Основная информация
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: CRYLINK
Сертификация: Iso9001
Номер модели: КРИЛИНК-Кр ИАГ Кристл
Количество мин заказа: 1 шт
Цена: negotiation
Упаковывая детали: коробка
Время доставки: 3-4 недели
Условия оплаты: TT
Поставка способности: 100 частей /month
Лучшая цена Контакт
Подробная информация
Имя: Cr: YAG Кристальная структура: кубическое la3d
Параметры решетки,: 12,01 Ориентация: [100] или [110] < ±0.5°
Массовая плотность: 4,56 g/cm3 Твердость Mohs: 8,5
Высокий свет:

Кристаллы лазера Yag Cr

,

Кристаллы переключателя Cr YAG q

,

кристаллы Yag Cr 1080nm

Характер продукции

Cr4+: Кристалл YAG можно использовать не только как Q-переключатель но также как средство увеличения из-за своих превосходных physicochemical свойств. Деятельность Q-переключателя Nd ИМПа ульс и CW: Лазеры YAG были осуществлены путем использование Cr4+: Деятельность YAG как Q-переключатель, и CW настраиваемая и само-режим-запертая также была осуществлена путем использование CR4 +: YAG как средство увеличения. Сравненный с традиционным saturable амортизатором, Cr: YAG главно к традиционному saturable амортизатору в много аспектов. Давая допинг концентрация иона Cr4+ в Cr4+: YAG как высоко как 1018 cm-3, которые могут эффектно уменьшить размер пассивных элементов Q-переключателя. Полезно достигнуть высокой оптически эффективности преобразования, интеграции, и компактного пассивного лазера Q-переключателя.
 

Медицинский осмотр и химические свойства

Свойство Значение
Химическая формула Cr4+: Y3Al5O12
Кристаллическая структура кубическое la3d
Параметры решетки, 12,01
Ориентация [100] или [110] <>
Массовая плотность 4,56 g/cm3
Твердость Mohs 8,5
Young модуль 335 GPa
Прочность на растяжение 2 GPa
Точка плавления 1970°C
Термальная проводимость 0,1213
Специфическая жара (Jg-1K-1) 0,59
Тепловое расширение/(°C 10-6/° C@25) 7,8 <111>
7,7 <110>
8,2 <100>
Параметр сопротивления термального удара 800 W/m
Коэффициент вымирания 25dB
Коэффициент Poisson 0,25
R.I. @1064 nm 1,83
Ион обязанности компенсируя Ca2+, Mg2+

Оптически свойства

Свойство Значение
Оптически плотность 0,1 до 0,8
Продолжительность жизни флуоресцирования 3.4s
Концентрация 0,5 mol % | 3 mol %
Длина волны излучения 1350 nm | 1600 nm
Показатель поглощения 1,0 см-1 cm-17
Площадь поглощения основного состояния cm2 4.3×10-18
Площадь поглощения государства излучения cm2 8.2×10-19
Передача 10% до 90%
Покрытия AR≤ 0,2% @1064nm
Порог повреждения > 500 MW/cm2

Полировать

Свойство Значение
Допуск ориентации < 0="">
Допуск толщины/диаметра ±0.05 mm
Поверхностная плоскостность
Искажение Wavefront
Качество поверхности 10/5
Параллельный 10
Перпендикуляр 5
Ясная апертура >90%
Скосите <0>
Покрытие HR <>
Максимальные размеры 2*2-15*15 mm×20mm
 

тег:

шпинель ко,

шпинель алюмината магния,

вениса иттрия яг алюминиевая

Контактная информация
june

Номер телефона : +8618699681379

Больше К переключает кристаллы
Кристаллы 900 переключателя Кр ИАГ к | пассивная более высокая длинная жизнь надежности 1200нм

Кристаллы 900 переключателя Кр ИАГ к | пассивная более высокая длинная жизнь надежности 1200нм

Контакт
Метода переключения одиночных кристаллов к Ко применения шпинелевого различные

Метода переключения одиночных кристаллов к Ко применения шпинелевого различные

Контакт
Площадь поглощения государства возвышенности кристаллов переключателя В3+ И3Ал5О12 В ИАГ к

Площадь поглощения государства возвышенности кристаллов переключателя В3+ И3Ал5О12 В ИАГ к

Контакт
В стабильности кристаллической структуры кристаллов продолжительность жизни кубической Ла3д переключателя лазера к ИАГ хорошей длинная

В стабильности кристаллической структуры кристаллов продолжительность жизни кубической Ла3д переключателя лазера к ИАГ хорошей длинная

Контакт
В ИАГ кристаллов площадь поглощения возвышенности весьма государственная

В ИАГ кристаллов площадь поглощения возвышенности весьма государственная

Контакт
V кристаллы кристаллов переключателя YAG q/лазера с ванадием 3 значностей

V кристаллы кристаллов переключателя YAG q/лазера с ванадием 3 значностей

Контакт
В свойства кристаллов ИАГ В3+ И3Ал5О12 хорошие оптически механические термальные

В свойства кристаллов ИАГ В3+ И3Ал5О12 хорошие оптически механические термальные

Контакт
В кристаллы переключателя ИАГ к/оптически абсорбция возбужденного состояния Кристл незначительная

В кристаллы переключателя ИАГ к/оптически абсорбция возбужденного состояния Кристл незначительная

Контакт