products
Главная страница > Продукция> К переключает кристаллы> Материал субстрата кристаллов переключателя ЛН ЛиНбО3 к Тригонал для интегрированных электронно-оптических приборов

Материал субстрата кристаллов переключателя ЛН ЛиНбО3 к Тригонал для интегрированных электронно-оптических приборов

LN LiNbO3 Q Switch Crystals Trigonal Substrate Material For Integrated Optoelectronic Devices
LN LiNbO3 Q Switch Crystals Trigonal Substrate Material For Integrated Optoelectronic Devices LN LiNbO3 Q Switch Crystals Trigonal Substrate Material For Integrated Optoelectronic Devices LN LiNbO3 Q Switch Crystals Trigonal Substrate Material For Integrated Optoelectronic Devices LN LiNbO3 Q Switch Crystals Trigonal Substrate Material For Integrated Optoelectronic Devices LN LiNbO3 Q Switch Crystals Trigonal Substrate Material For Integrated Optoelectronic Devices
Основная информация
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: CRYLINK
Сертификация: Iso9001
Номер модели: КРИЛИНК-ЛиНбО3 Кристл
Количество мин заказа: 1 шт
Цена: negotiation
Упаковывая детали: коробка
Время доставки: 3-4 недели
Условия оплаты: TT
Поставка способности: 100 частей /month
Лучшая цена Контакт
Подробная информация
Имя: LiNbO3 (LN) Кристальная структура: Тригонал
Космическая группа: R3C Плотность: 4,64 g/cm3
Твердость Mohs: 5 оптически однородность: | 5 x 10-5/см
Высокий свет:

вениса иттрия яг алюминиевая

,

шпинель ко

Характер продукции

Кристалл LiNbO3 широко был использован в оптически технологии волновода и оптической связи из-за своих превосходных электрооптических свойств. Идеальный материал субстрата для много интегрированных электронно-оптических приборов. Из-за большого electro-оптического коэффициента LiNbO3, полуволновое напряжение тока низко. Electro-оптическое влияние кристалла LiNbO3 обычно использовано для модуляции оптически сигнала. Electro-оптическая модуляция разделена в продольное и поперечное, и LiNbO3 главным образом использовано в поперечной модуляции. Оно широко было использован в твердотельных лазерах средства и низкой мощности.

 

Физические и оптически свойства

Химическая формула LiNbO3
Кристаллическая структура trigonal
Группа космоса R3C
Плотность 4,64 g/cm3
Твердость Mohs 5
Оптически однородность | 5 x 10-5/см
Ряд прозрачности 420 5200 nm
Показатель поглощения | 0.1%/см @ 1064 nm
Рефрактивные индексы на 1064 nm ne = 2,146, нет = 2,220 @ 1300 nm
ne = 2,156, нет = 2,232 @ 1064 nm
ne = 2,203, нет = 2,286 @ 632,8 nm
Уравнения Sellmeier (, m) no2 = 4,9048 + 0,11768/(2 0,04750) 0,0271692
ne2 = 4,5820 + 0,099169/(2 0,04443) 0,0219502
°C 25 коэффициента теплового расширения @ //a, 2,0 x 10-6/k
//c, 2,2 x 10-6/k
Термальная проводимость | 5 °C W/m/K @ 25
Термальный оптически коэффициент dno/dT = -0,874 x 10-6/k на 1,4 m
dne/dT = 39,073 x 10-6/k на 1,4 m

Общая спецификация LiNbO3 для Q-переключателя

Рефрактивная заторможенность =Lnr22V/d
Electro-оптические коэффициенты R33=32pm/V
R31=10pm/V
R22=6.8 pm/V
Апертура 4x4mm | 9x9mm
Длина 15~25mm
Допуск размера +/-0.1mm
Скосите <0>
Точность ориентации <5 arc="" min="">
Параллелизм <10 arc="" sec="">
Плоскостность l/8 на 632,8 nm
Искажение Wavefront
Коэффициент вымирания >400:1 @ 633nm, луч dia 6mm

Спецификация LiNbO3 для оптически волновода

Работая диапазон длины волны 1.525-1.605m
Коэффициент вымирания <20dB
Полуволновое напряжение тока <6V
Напряжение смещения DC <8V
Характеристическое сопротивление входной характеристики 50
Светлое отражение ≤-50dB
Максимальное электричество входного сигнала 20dBm
Сила максимального входного сигнала оптически 10-100mW
Температура хранения -40-85℃
Рабочая температура -40-70℃

тег:

шпинель ко,

шпинель алюмината магния,

вениса иттрия яг алюминиевая

Контактная информация
june

Номер телефона : +8618699681379

Больше К переключает кристаллы
Кристаллы 900 переключателя Кр ИАГ к | пассивная более высокая длинная жизнь надежности 1200нм

Кристаллы 900 переключателя Кр ИАГ к | пассивная более высокая длинная жизнь надежности 1200нм

Контакт
Метода переключения одиночных кристаллов к Ко применения шпинелевого различные

Метода переключения одиночных кристаллов к Ко применения шпинелевого различные

Контакт
Площадь поглощения государства возвышенности кристаллов переключателя В3+ И3Ал5О12 В ИАГ к

Площадь поглощения государства возвышенности кристаллов переключателя В3+ И3Ал5О12 В ИАГ к

Контакт
В стабильности кристаллической структуры кристаллов продолжительность жизни кубической Ла3д переключателя лазера к ИАГ хорошей длинная

В стабильности кристаллической структуры кристаллов продолжительность жизни кубической Ла3д переключателя лазера к ИАГ хорошей длинная

Контакт
В ИАГ кристаллов площадь поглощения возвышенности весьма государственная

В ИАГ кристаллов площадь поглощения возвышенности весьма государственная

Контакт
V кристаллы кристаллов переключателя YAG q/лазера с ванадием 3 значностей

V кристаллы кристаллов переключателя YAG q/лазера с ванадием 3 значностей

Контакт
В свойства кристаллов ИАГ В3+ И3Ал5О12 хорошие оптически механические термальные

В свойства кристаллов ИАГ В3+ И3Ал5О12 хорошие оптически механические термальные

Контакт
В кристаллы переключателя ИАГ к/оптически абсорбция возбужденного состояния Кристл незначительная

В кристаллы переключателя ИАГ к/оптически абсорбция возбужденного состояния Кристл незначительная

Контакт