products

лазер полупроводника ядра 830nm волокна 105um с апертурой 0.22NA

Основная информация
Фирменное наименование: CRYLINK
Сертификация: ISO9001
Номер модели: стабилизированный лазер полупроводника длины волны 830nm
Количество мин заказа: 1
Цена: custom
Условия оплаты: L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Подробная информация
Высокий свет:

лазер полупроводника 830nm

,

лазер полупроводника ядра волокна 105um

,

Лазер полупроводника апертуры 0.22NA


Характер продукции

стабилизированный лазер полупроводника длины волны 830nm

(PDF загрузки)

  • Сила выхода: 600mW
  • Длина волны: длина волны замка 830±0.5nm
  • Диаметр ядра волокна: µm 105
  • Численная апертура: 0.22NA
  • Настоящий запирая ряд: 0.3-1.4A
  • Температура запирая ряд: 15-35℃
Модель   CL830-0.5-600mW-SWL002
Оптически параметр Сила длительной мощности (mW) 600
Разбивочная длина волны (nm) 830±0.5
Спектральная ширина (nm) ≤0.3
Характеристики длины волны с температурой (nm/℃) 0,02
Характеристики длины волны с течением (nm/A) 0,05
Электрический параметр Течение порога (a) 0,35
Рабочий ток (a) 1,16
Рабочий потенциал (v) 1,89
Дифференциальная эффективность (W/A) 0,75
PD настоящий (µA) 100-600
Параметры термистора (kΩ/β (25℃)) 10±5%/3450
ТЕХНИЧЕСКОЕ максимальное течение (a) 2,2
ТЕХНИЧЕСКОЕ максимальное напряжение тока (v) 8,7
Параметр стекловолокна Диаметр волокна (µm) 105
Диаметр плакирования волокна (µm) 125
Диаметр покрытия волокна (µm) 250
Численная апертура 0,22
Соединитель SMA905
Другой параметр Рабочая температура (℃) 10-30
Работая относительная влажность (%) 75
Температура хранения (℃) -20~70
Относительная влажность хранения (%) 90
Температура Pin паяя, Макс (℃) 250 (Sec 10.)

Контактная информация
june

Номер телефона : +8618699681379